Об утверждении Правил предоставления в 2023 году из федерального бюджета субсидий российским организациям на финансовое обеспечение мероприятий по проведению научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в области средств производства электроники

Часть 1

ПРАВИТЕЛЬСТВО РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПОСТАНОВЛЕНИЕ от 16 декабря 2020 г. № 2136 МОСКВА Об утверждении Правил предоставления в 2023 году из федерального бюджета субсидий российским организациям на финансовое обеспечение мероприятий по проведению научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в области средств производства электроники (Наименование в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 30.12.2023 № 2416) Список изменяющих документов(В редакции постановлений Правительства Российской Федерации от 09.09.2021 № 1528, от 30.10.2021 № 1867, от 13.09.2022 № 1600, от 30.12.2023 № 2416) Правительство Российской Федерации постановляет: 1. Утвердить прилагаемые Правила предоставления в 2023 году из федерального бюджета субсидий российским организациям на финансовое обеспечение мероприятий по проведению научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в области средств производства электроники. (В редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 30.12.2023 № 2416) 2. Настоящее постановление вступает в силу с 1 января 2021 г. Председатель Правительства Российской Федерации М.Мишустин УТВЕРЖДЕНЫ постановлением Правительства Российской Федерации от 16 декабря 2020 г. № 2136 (в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 30 декабря 2023 г. № 2416) ПРАВИЛА предоставления в 2023 году из федерального бюджета субсидий российским организациям на финансовое обеспечение мероприятий по проведению научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в области средств производства электроники 1. Настоящие Правила устанавливают порядок, цели и условия предоставления в 2023 году субсидий из федерального бюджета российским организациям на финансовое обеспечение мероприятий по проведению научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в области средств производства электроники (далее - субсидия). Субсидии предоставляются в рамках федерального проекта "Развитие технологий производства электроники" государственной программы Российской Федерации "Научно-технологическое развитие Российской Федерации", утвержденной постановлением Правительства Российской Федерации от 29 марта 2019 г. № 377 "Об утверждении государственной программы Российской Федерации "Научно-технологическое развитие Российской Федерации", в целях обеспечения роста объемов производства и реализации российских средств производства электроники.

2. Понятия, используемые в настоящих Правилах, означают следующее: "высокопроизводительное рабочее место" - рабочее место, созданное российской организацией в рамках реализации комплексного проекта и соответствующее следующим критериям: оснащение технологическим оборудованием, и (или) специализированными средствами проектирования, и (или) высокопроизводительными системами вычислений; наличие трудовых отношений с работником, занятым на указанном рабочем месте и имеющим высшее или среднее профессиональное образование в области технических, естественных или прикладных наук и высокую квалификацию; стоимость создания нового рабочего места или модернизации старого рабочего места составляет не менее 0,5 млн. рублей; заработная плата работника, занятого на указанном рабочем месте, превышает величину средней заработной платы в соответствующем субъекте Российской Федерации согласно данным Федеральной службы государственной статистики за предыдущий финансовый год; "заинтересованный потребитель" - российская организация электронной промышленности, или центр коллективного пользования, или дизайн-центр, или образовательная организация высшего образования, в которых ресурсы (оборудование, технологии, сырье, материалы, энергия, информационные ресурсы) объединяются в производственный процесс, позволяющий создать средства производства электроники, или оказать услуги, или провести прикладные научные исследования в области электронной промышленности; "ключевое техническое решение" - результат интеллектуальной деятельности российской организации, с получением которого связано (становится возможным) достижение устанавливаемого в бизнес-плане комплексного проекта уровня технико-экономических показателей средств производства электроники и (или) технологий, разрабатываемых в рамках комплексного проекта; "комплексный проект" - комплекс взаимосвязанных мероприятий по разработке, производству и коммерциализации средств производства электроники и (или) технологий, ограниченный по времени и ресурсам, включающий: выполнение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ; организацию долговременного технологического тестирования опытных образцов, опытных партий средств производства электроники, бета-версий систем автоматизированного проектирования; организацию выпуска средств производства электроники, в том числе создание производственной инфраструктуры; последующий вывод средств производства электроники и (или) технологий на рынок; "российская организация" - юридическое лицо, образованное в соответствии с законодательством Российской Федерации, информация о котором размещена в открытом доступе в государственной информационной системе промышленности в информационно-телекоммуникационной сети "Интернет" (далее - сеть "Интернет"); "отбор" - процедура выбора Министерством промышленности и торговли Российской Федерации на конкурсной основе комплексных проектов, представленных российскими организациями, исходя из наилучших условий достижения результата, в целях достижения которого предоставляется субсидия; "сквозной проект" - комплекс взаимосвязанных мероприятий, направленных на внедрение программно-аппаратных комплексов или систем интеллектуального управления, включающий в том числе организацию создания средств производства электроники, проведение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по разработке радиоэлектронных средств, создание встроенных программ для электронных вычислительных машин (далее - ЭВМ), адаптацию существующих программ для ЭВМ, а также мероприятий, связанных с выводом средств производства электроники на рынок с гарантированным объемом ее потребления, превышающим сумму затрат на реализацию указанных мероприятий, и возможностью применения средств производства электроники различными заинтересованными потребителями, в том числе в других отраслях экономики, одобренный общественным экспертным советом по использованию электроники в отраслях экономики при президиуме Правительственной комиссии по цифровому развитию, использованию информационных технологий для улучшения качества жизни и условий ведения предпринимательской деятельности (далее - общественный экспертный совет); "средства производства электроники" - оборудование, системы автоматизированного проектирования и материалы для производства электроники с техническими характеристиками, заявленными российской организацией в составе заявки на участие в отборе (далее - заявка), направленной российской организацией в соответствии с пунктом 11 настоящих Правил; "центр коллективного пользования" - научно-исследовательская организация, обладающая современным научным и аналитическим оборудованием, высококвалифицированными кадрами и обеспечивающая проведение на имеющемся оборудовании научных исследований и оказание услуг (исследований, испытаний, измерений) в интересах организаций.

3. Субсидии предоставляются Министерством промышленности и торговли Российской Федерации российской организации по результатам отбора в пределах лимитов бюджетных обязательств, доведенных в установленном порядке до Министерства промышленности и торговли Российской Федерации как получателя средств федерального бюджета на цели, предусмотренные пунктом 1 настоящих Правил. Сведения о субсидии размещаются на едином портале бюджетной системы Российской Федерации в сети "Интернет" (далее - единый портал) не позднее 15-го рабочего дня, следующего за днем принятия федерального закона о федеральном бюджете (федерального закона о внесении изменений в федеральный закон о федеральном бюджете).

4. Результатом предоставления субсидии является объем реализации средств производства электроники, созданных в рамках комплексного проекта, в денежном выражении, превышающем объем направленных на реализацию комплексного проекта средств федерального бюджета не менее чем на 15 процентов. Характеристиками (показателями, необходимыми для достижения результата предоставления субсидии) (далее - характеристики) в рамках комплексного проекта являются: количество вновь создаваемых и (или) модернизируемых высокопроизводительных рабочих мест в рамках комплексного проекта; соотношение размера субсидии, запрашиваемой на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ в рамках комплексного проекта, и размера заемных и (или) собственных средств, планируемых к привлечению для реализации комплексного проекта; соотношение размера субсидии, полученной на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ в рамках реализации комплексного проекта, и размера заемных и (или) собственных средств, привлеченных за время реализации комплексного проекта; количество результатов интеллектуальной деятельности, охраняемых патентами и (или) удовлетворяющих условиям патентоспособности (подтверждаются результатами патентных исследований, проведенных в соответствии с национальным стандартом Российской Федерации ГОСТ Р 15.011-96 "Система разработки и постановки продукции на производство. Патентные исследования. Содержание и порядок проведения" (далее - ГОСТ Р 15.011-96) и охраняемых в качестве секретов производства (ноу-хау), в том числе ключевых технических решений. Значения результата предоставления субсидии и характеристик устанавливаются соглашением о предоставлении субсидии.

5. Отбор проводится по следующим технологическим направлениям: а) оборудование и компоненты оборудования: оборудование для молекулярно-лучевой эпитаксии; оборудование для мос-гидридной эпитаксии; оборудование для жидкофазной эпитаксии; оборудование для газофазной эпитаксии; оборудование литографическое для формирования топологического рисунка на полупроводниковых пластинах; оборудование для нанесения, удаления и сушки фоторезиста, химической очистки полупроводниковых пластин в жидких средах; оборудование для плазмохимической очистки полупроводниковых пластин; оборудование для производства печатных плат; оборудование для гальванического нанесения металлов на полупроводниковые пластины; оборудование для ионной имплантации примесей в полупроводниковые пластины; оборудование для производства полупроводниковых слитков (булей); оборудование для процессов групповой термической обработки кремниевых пластин (отжиг, окисление); оборудование для быстрого термического отжига и температурной обработки полупроводниковых пластин в контролируемой газовой среде или вакууме; оборудование для проведения процессов плазмохимического травления и осаждения на полупроводниковых пластинах; оборудование для атомно-слоевого осаждения тонких пленок на полупроводниковые пластины; оборудование для физического осаждения; оборудование для магнетронного напыления тонких пленок в вакууме на полупроводниковые пластины; оборудование для электронно-лучевого напыления тонких пленок в вакууме на полупроводниковые пластины; оборудование для ионно-лучевого напыления тонких пленок в вакууме на полупроводниковые пластины; системы вакуумные кластерные для объединения 2 и более технологических модулей различного назначения для обработки полупроводниковых пластин; оборудование лазерное для обработки полупроводниковых пластин; оборудование для разделения и резки подложек электронно-компонентной базы (далее - экб); оборудование для сверления и прошивки; оборудование для лазерной пайки и микросварки; оборудование для селективного удаления и нанесения слоев; лазерное оборудование для отжига, реструктуризации; лазерное оборудование для подгонки, ремонта и устранения дефектов экб и фотошаблонов; оборудование для химико-механического утонения, планаризации, бондинга и дебондинга полупроводниковых пластин; оборудование для химико-механического утонения полупроводниковых пластин; оборудование для планаризации полупроводниковых пластин; оборудование для бондинга и дебондинга полупроводниковых пластин; оборудование для резки и обработки полупроводниковых слитков (булей); оборудование сборочное для производства интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов; оборудование монтажа кристаллов, поверхностного и штыревого монтажа; оборудование монтажа (микросварки) проволочных выводов; оборудование шлифовки, полировки и обработки полупроводниковых пластин; оборудование дисковой резки полупроводниковых пластин и подложек; баллоны и специальные контейнеры для газов, в том числе для фосфина; фильтры для очистки газов; фильтры для очистки жидких реагентов; тары для хранения и транспортировки жидких реагентов; оборудование для сборки и контроля качества (испытания) электронной компонентной базы, корпусирования и микросборки;

б) ключевые запасные части, комплектующие и ключевые узлы, инструменты и принадлежности к оборудованию, перечисленному в подпункте "а" настоящего пункта;

в) специальные материалы: инертные газы высокочистые (5N - 7N); специальные газы и смеси газов высокочистые (4N - 7N); металлоорганические соединения высокочистые (4N - 7N); высокочистые материалы для молекулярно-лучевой эпитаксии (6N - 9N); кислоты высокочистые (> 6N) (содержание следов металлов и частиц не более 0,1 ppb); растворители высокочистые (6N) и вспомогательные материалы; фоторезисты и суспензии; высокочистые материалы для получения кварца и (или) синтетического кварцевого стекла; высокочистые оксиды, карбиды, нитриды; высокочистые простые вещества и неорганические соединения; материалы для высокочистого синтетического кварца; изделия из стекла и кварца; высокочистые оксиды редких и редкоземельных элементов; высокочистые поликристаллические материалы; высокочистые монокристаллы элементарных полупроводников 5N - 7N, полупроводниковые пластины (подложки) из высокочистых элементарных полупроводников (Si, Ge), соединений A2B6, A3B5, A3N, A4B4; материалы для активных лазерных элементов; лазерные монокристаллы и оптические элементы; лазерные эпитаксиальные структуры; фотоприемные эпитаксиальные структуры; эпитаксиальные структуры для сверхвысокочастотной и силовой электроники; высокочистые монокристаллические нелинейно-оптические материалы; электрооптические пленочные материалы; конструкционные материалы; металлические функциональные материалы; мишени для формирования функциональных слоев и покрытий; клеи и герметики, заливочные компаунды; полимерные диэлектрики (полиимиды, парилены, бензоциклобутены и т.д.) и вспомогательные материалы к ним (адгезивы, промывочные жидкости и т.д.); материалы для печатных плат; материалы для формирования покрытий методами атомно-слоевого осаждения; кристаллы для магнитно-управляемой оптики; сцинтилляционные материалы.

6. Решение о проведении отбора принимается Министерством промышленности и торговли Российской Федерации при наличии лимитов бюджетных обязательств, доведенных в установленном по