Часть 19
ю производственной линии 8. Разработка базовых технологий 207 - - 40 100 67 создание базовых технологий проектирования кремний - --- -- --- -- проектирования на основе германиевых 142 30 67 45 библиотеки сверхвысокочастотных и сложнофункциональных блоков радиочастотных интегральных широкого спектра схем на основе аттестованной сверхвысокочастотных библиотеки интегральных схем на SiGe с сложнофункциональных блоков рабочими частотами до 150 ГГц, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 9. Разработка базовых технологий 163,5 43,5 60 60 - - создание базовых технологий производства элементной базы ----- ---- -- -- производства и конструкций для ряда силовых герметичных 110 30 40 40 элементной базы для модулей высокоплотных высокоплотных источников источников вторичного вторичного электропитания электропитания вакуумных и сверхвысокочастотных приборов твердотельных и узлов аппаратуры, разработка сверхвысокочастотных приборов комплектов документации в и узлов аппаратуры стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 10. Разработка базовых технологий 153 - - - 89 64 создание базовых конструкций и производства ряда силовых --- -- -- технологии производства герметичных модулей 102 60 42 высокоэффективных, высокоплотных источников высокоплотных источников вторичного электропитания вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры на основе и узлов аппаратуры гибридно-пленочной технологии с применением бескорпусной элементной базы, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 11. Разработка базовых конструкций 162,5 38,5 74 50 - - создание технологии массового и технологии производства ----- ---- -- -- производства ряда корпусов корпусов мощных 110 25 52 33 мощных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных приборов для "бессвинцовой" транзисторов X, C, S, L и P - сборки, разработка комплектов диапазонов из малотоксичных документации в стандартах материалов с высокой единой системы конструкторской, теплопроводностью технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 12. Разработка базовых конструкций 150 - - 45 60 45 создание базовых теплоотводящих элементов --- -- -- -- конструктивных рядов элементов систем охлаждения 97 30 40 27 систем охлаждения аппаратуры Х сверхвысокочастотных приборов и С - диапазонов наземных, Х и С - диапазонов на основе корабельных и воздушно- новых материалов космических комплексов 13. Разработка базовой технологии 93 - - - 60 33 создание технологии массового производства теплоотводящих -- -- -- производства конструктивного элементов систем охлаждения 62 32 30 ряда элементов систем сверхвысокочастотных приборов охлаждения аппаратуры Х и С - Х и С - диапазонов на основе диапазонов наземных, новых материалов корабельных и воздушно- космических комплексов, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 14. Разработка базовых технологий 141,5 45,5 53 43 - - создание технологии массового производства суперлинейных ----- ---- -- -- производства конструктивного кремниевых 92 30 35 27 ряда сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов транзисторов S и L диапазонов для связной аппаратуры, локации и контрольной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 15. Разработка конструктивно- 170 - - - 95 75 создание конструктивно- параметрического ряда --- -- -- параметрического ряда суперлинейных кремниевых 116 70 46 сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов транзисторов S и L диапазонов для связной аппаратуры, локации и контрольной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 16. Разработка технологии 147 60 45 42 - - разработка метрологической измерений и базовых --- -- -- -- аппаратуры нового поколения конструкций установок 97 40 27 30 для исследования и контроля автоматизированного измерения параметров полупроводниковых параметров нелинейных моделей структур, активных элементов и сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных монолитных полупроводниковых структур, интегральных схем в мощных транзисторов и производстве и при их сверхвысокочастотных использовании монолитных интегральных схем X, C, S, L и P - диапазонов для их массового производства 17. Исследование и разработка 161 57 54 50 - - создание
технологии базовых технологий для --- -- -- -- унифицированных создания нового поколения 107 38 36 33 сверхширокополосных приборов мощных вакуумно-твердотельных среднего и большого уровня сверхвысокочастотных приборов мощности сантиметрового и гибридных малогабаритных диапазона длин волн и сверхвысокочастотных модулей с сверхвысокочастотных улучшенными массогабаритными магнитоэлектрических приборов характеристиками, для перспективных магнитоэлектрических радиоэлектронных систем и приборов сверхвысокочастотного аппаратуры связи космического диапазона, в том числе: базирования, разработка циркуляторов и фазовращателей, комплектов документации в вентилей, высокодобротных стандартах единой системы резонаторов, перестраиваемых конструкторской, фильтров, микроволновых технологической и приборов со спиновым производственной документации, управлением для перспективных ввод в эксплуатацию радиоэлектронных систем производственной линии двойного применения 18. Разработка базовых конструкций 141 - - - 89 52 разработка конструктивных и технологии производства --- -- -- рядов и базовых технологий нового поколения мощных 95 60 35 производства вакуумно-твердотельных сверхширокополосных приборов сверхвысокочастотных приборов среднего и большого уровня и гибридных малогабаритных мощности сантиметрового сверхвысокочастотных модулей с диапазона длин волн и улучшенными массогабаритными сверхвысокочастотных характеристиками, магнитоэлектрических приборов магнитоэлектрических приборов для перспективных сверхвысокочастотного радиоэлектронных систем и диапазона, в том числе: аппаратуры связи космического циркуляторов и фазовращателей, базирования, разработка вентилей, высокодобротных комплектов документации в резонаторов, перестраиваемых стандартах единой системы фильтров, микроволновых конструкторской, приборов со спиновым технологической и управлением для перспективных производственной радиоэлектронных систем документации, ввод в двойного применения эксплуатацию производственной линии 19. Исследование и разработка 130 45 45 40 - - создание технологических процессов и базовых технологий --- -- -- -- процессов производства нанопленочных малогабаритных 87 30 30 27 нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных резисторно- резисторно- индуктивно-емкостных матриц индуктивно-емкостных матриц многофункционального многофункционального назначения для печатного назначения для печатного монтажа и монтажа, создание базовой сверхбыстродействующих технологии получения (до 150 ГГц) приборов на сверхбыстродействующих наногетероструктурах с (до 150 ГГц) приборов на квантовыми дефектами наногетероструктурах с квантовыми дефектами, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 20. Разработка базовых конструкций 85 - - - 45 40 создание конструктивных рядов и технологии производства -- -- -- и базовых технологий нанопленочных малогабаритных 57 30 27 производства нанопленочных сверхвысокочастотных малогабаритных резисторно- сверхвысокочастотных индуктивно-емкостных матриц резисторно-индуктивно-емкостных многофункционального матриц многофункционального назначения для печатного назначения для печатного монтажа монтажа, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 21. Разработка базовой технологии 246 90 86 70 - - создание базовой технологии сверхвысокочастотных p-i-n --- -- -- -- производства элементов и диодов, матриц, узлов 164 60 57 47 специальных элементов и блоков управления и портативных портативной аппаратуры фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения волн на основе средств связи, радиолокационных магнитоэлектронных станций, радионавигации, твердотельных и измерительной техники, высокоскоростных цифровых автомобильных радаров, охранных приборов и устройств с и сигнальных устройств, функциями адаптации и разработка комплектов цифрового диаграммообразования документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии Всего по направлению 1 5024,5 817,5 1020 1002 1241 944 ------ ----- ---- ---- ---- --- 3349 545 680 668 827 629 Направление 2 "Радиационно стойкая электронная компонентная база" 22. Разработка базовой технологии 202 51 71 80 - - создание технологии радиационно стойких ----- -- ---- ---- изготовления микросхем с сверхбольших интегральных схем 134,8 34 47,4 53,4 размерами элементов 0,5 мкм на уровня 0,5 мкм на структурах структурах "кремний на "кремний на сапфире" диаметром сапфире" диаметром 150 мм, 150 мм разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно стойкой
элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника) 23. Разработка базовой технологии 315,4 - - - 59,4 256 создание технологии радиационно стойких ----- ---- ----- изготовления микросхем с сверхбольших интегральных схем 210,3 39,6 170,7 размерами элементов 0,35 мкм уровня 0,35 мкм на структурах на структурах "кремний на "кремний на сапфире" диаметром сапфире" диаметром 150 мм, 150 мм разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем, обеспечивающих создание расширенной номенклатуры быстродействующей и высоко интегрированной радиационно стойкой элементной базы 24. Разработка технологии 237,5 82,5 71 84 - - создание технологического проектирования и ----- ---- ---- -- базиса (технология конструктивно- 158,4 55 47,4 56 проектирования, базовые технологических решений технологии), позволяющего библиотеки логических и разрабатывать радиационно аналоговых элементов, стойкие сверхбольшие оперативных запоминающих интегральные схемы на устройств, постоянных структурах "кремний на запоминающих устройств, изоляторе" с проектной нормой сложнофункциональных до 0,25 мкм радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 мкм 25. Разработка технологии 360,1 - - - 81,5 278,6 создание технологического проектирования и ----- ---- ----- базиса (технология конструктивно - 240 54,3 185,7 проектирования, базовые технологических решений технологии), позволяющего библиотеки логических и разрабатывать радиационно аналоговых элементов, стойкие сверхбольшие оперативных запоминающих интегральные схемы на устройств, постоянных структурах "кремний на запоминающих устройств, изоляторе" с проектной нормой сложнофункциональных до 0,18 мкм радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,18 мкм 26. Разработка базовых 246 72 98 76 - - создание технологического технологических процессов --- -- ---- ---- процесса изготовления изготовления радиационно 164 48 65,3 50,7 сверхбольших интегральных схем стойкой элементной базы для энергонезависимой, радиационно сверхбольших интегральных схем стойкой сегнетоэлектрической энергозависимой памяти уровня 0,35 мкм и пьезоэлектрической и базовой технологии создания, магниторезистивной памяти с изготовления и аттестации проектными нормами 0,35 мкм и радиационно стойкой пассивной пассивной радиационно стойкой электронной компонентной базы элементной базы 27. Разработка базовых 261 - - - 56 205 создание технологического технологических процессов ----- ---- ----- процесса изготовления изготовления радиационно 174,2 37,3 136,9 сверхбольших интегральных схем стойкой элементной базы для энергонезависимой, радиационно сверхбольших интегральных схем стойкой сегнетоэлектрической энергозависимой памяти уровня 0,18 мкм и пьезоэлектрической и создания, изготовления и магниторезистивной памяти с аттестации радиационно стойкой проектными нормами 0,18 мкм и пассивной электронной пассивной радиационно стойкой компонентной базы элементной базы 28. Разработка технологии "кремний 218,8 78 83,2 57,6 - - разработка расширенного ряда на сапфире" изготовления ряда ----- -- ---- ---- цифровых процессоров, лицензионно-независимых 145,9 52 55,4 38,5 микроконтроллеров, оперативных радиационно стойких запоминающих программируемых и комплементарных металл-окисел перепрограммируемых устройств, полупроводниковых сверхбольших аналого-цифровых интегральных схем цифровых преобразователей в радиационно процессоров обработки стойком исполнении для сигналов, микроконтроллеров и создания специальной схем интерфейса аппаратуры нового поколения 29. Разработка технологии структур 374 - - - 74,5 299,5 создание технологии с ультратонким слоем кремния ----- ---- ----- проектирования и изготовления на сапфире 249,5 49,8 199,7 микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости 30. Разработка базовой технологии 213,1 60,5 80,6 72 - - разработка конструкции и модели и приборно-технологического ----- ---- ---- -- интегральных элементов и базиса производства 135,4 37 50,4 48 технологического маршрута радиационно стойких изготовления радиационно сверхбольших интегральных схем стойких сверхбольших "система на кристалле", интегральных схем типа радиационно стойкой силовой "система на кристалле" с электроники для аппаратуры расширенным температурным питания и управления диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А 31. Разработка элементной базы 109,2 28 33,2 48 - - создание ряда микронанотриодов радиационно стойких ----- -- ---- -- и микронанодиодов с наивысшей интегральных схем на основе 79,5 22 25,5
32 ра