Часть 20
диационной стойкостью для полевых эмиссионных долговечной аппаратуры микронанотриодов космического базирования 32. Создание информационной базы 251 - - - 61,1 189,9 разработка комплекса моделей радиационно стойкой ----- ---- ----- расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы, 167,3 40,7 126,6 электронной компонентной базы содержащей модели интегральных в обеспечение установления компонентов, функционирующих в технически обоснованных норм условиях радиационных испытаний воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы Всего по направлению 2 2788,1 372 437 417,6 332,5 1229 ------ --- ----- ----- ----- ----- 1859,3 248 291,4 278,6 221,7 819,6 Направление 3 "Микросистемная техника" 33. Разработка базовых технологий 302 93 112 97 - - создание базовых технологий и микроэлектромеханических --- -- --- -- комплектов технологической систем 166 61 75 30 документации на изготовление микроэлектромеханических систем контроля давления, микроакселерометров с чувствительностью по двум и трем осям, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов 34. Разработка базовых конструкций 424 - - 75 228 121 разработка базовых конструкций микроэлектромеханических --- -- --- --- и комплектов необходимой систем 277 60 141 76 конструкторской документации на изготовление чувствительных элементов: микросистем контроля давления; микроакселерометров; микромеханических датчиков угловых скоростей; микроактюаторов с напряжением управления, предназначенных для использования в транспортных средствах, оборудовании топливно- энергетического комплекса, машиностроении, медицинской технике, робототехнике, бытовой технике 35. Разработка базовых технологий 249 94 110 45 - - создание базовых технологий и микроакустоэлектромеханических --- -- --- -- комплектов необходимой систем 161 61 70 30 технологической документации на изготовление микроакустоэлектромеханических систем, основанных на использовании поверхностных акустических волн (диапазон частот до 2 ГГц) и объемно- акустических волн (диапазон частот до 8 ГГц), пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники 36. Разработка базовых конструкций 418 - - 71 225 122 разработка базовых конструкций микроакустоэлектромеханических --- -- --- --- и комплектов необходимой систем 280 60 143 77 конструкторской документации на изготовление пассивных датчиков физических величин: микроакселерометров; микрогироскопов на поверхностных акустических волнах; датчиков давления и температуры; датчиков деформации, крутящего момента и микроперемещений; резонаторов 37. Разработка базовых технологий 106 51 55 - - - создание базовых технологий микроаналитических систем --- -- -- изготовления элементов 72 34 38 микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства, в медицинской и биомедицинской технике для обнаружения токсичных, горючих и взрывчатых материалов 38. Разработка базовых конструкций 224 - - 64 102 58 создание базовых конструкций микроаналитических систем --- -- --- -- микроаналитических систем, 164 30 86 48 предназначенных для аппаратуры жилищно-коммунального хозяйства, медицинской и биомедицинской техники; разработка датчиков и аналитических систем миниатюрных размеров с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга окружающей среды, контроля качества пищевых продуктов и контроля утечек опасных и вредных веществ в технологических процессах 39. Разработка базовых технологий 151 57 59 35 - - создание базовых технологий микрооптоэлектромеханических --- -- -- -- выпуска трехмерных оптических систем 109 38 41 30 и акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектромеханических систем для коммутации и модуляции оптического излучения, акустооптических перестраиваемых фильтров, двухмерных управляемых матриц микрозеркал микропереключателей и фазовращателей 40. Разработка базовых конструкций 208 - - 35 112 61 разработка базовых конструкций микрооптоэлектромеханических --- -- --- -- и комплектов, конструкторской систем 145 30 75 40 документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации и модуляции оптического излучения 41. Разработка базовых технологий 106 51 55 - - - создание базовых технологий микросистем анализа магнитных --- -- -- изготовления микросистем полей 72 34 38 анализа магнитных полей на основе анизотропного и гигантского магниторезистивного эффектов, квазимонолитных и монолитных гетеромагнитных пленочных структур 42. Разработка базовых конструкций 214 - - 54 104 56 разработка базовых конструкций микросистем анализа магнитных --- -- --- -- и комплектов конструкторской полей 137 30 69 38 документации на магниточувствительные микросистемы для применения в электронных системах управления приводами, в датчиках положения и потребления,
бесконтактных переключателях 43. Разработка базовых технологий 119 42 45 32 - - разработка и освоение в радиочастотных --- -- -- -- производстве базовых микроэлектромеханических 89 28 31 30 технологий изготовления систем радиочастотных микроэлектромеханических систем и компонентов, включающих микрореле, коммутаторы, микропереключатели 44. Разработка базовых конструкций 166 - - 32 87 47 разработка базовых конструкций радиочастотных --- -- -- -- и комплектов конструкторской микроэлектромеханических 119 30 58 31 документации на изготовление систем радиочастотных микроэлектромеханических систем - компонентов, позволяющих получить резкое улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и снижение стоимости изделий 45. Разработка методов и средств 81 41 40 - - - создание методов и средств обеспечения создания и -- -- -- контроля и измерения производства изделий 54 30 24 параметров и характеристик микросистемной техники изделий микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии Всего по направлению 3 2768 429 476 540 858 465 ---- --- --- --- --- --- 1845 286 317 360 572 310 Направление 4 "Микроэлектроника" 46. Разработка технологии и 443 173 148,9 121,1 - - разработка комплекта развитие методологии ----- --- ----- ----- нормативно-технической проектирования изделий 212,6 87 76,6 49 документации по проектированию микроэлектроники: изделий микроэлектроники, разработка и освоение создание отраслевой базы современной технологии данных с каталогами проектирования универсальных библиотечных элементов и микропроцессоров, процессоров сложнофункциональных блоков с обработки сигналов, каталогизированными микроконтроллеров и "системы результатами аттестации на на кристалле" физическом уровне (2008 г.), на основе каталогизированных разработка комплекта сложнофункциональных блоков и нормативно-технической и библиотечных элементов, в том технологической документации числе создание отраслевой базы по взаимодействию центров данных и технологических проектирования в сетевом режиме файлов для автоматизированных систем проектирования; освоение и развитие технологии проектирования для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных с целью размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,13 мкм 47. Разработка и освоение базовой 64 30 22 12 - - разработка комплекта технологии производства ---- -- ---- -- технологической документации и фотошаблонов с технологическим 42,7 20 14,7 8 организационно- уровнем до 0,13 мкм с целью распорядительной документации обеспечения информационной по взаимодействию центров защиты проектов изделий проектирования и центра микроэлектроники при изготовления фотошаблонов использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного) 48. Разработка семейств и серий 1050,9 284 336,7 430,2 - - разработка комплектов изделий микроэлектроники: ------ --- ----- ----- документации в стандартах универсальных микропроцессоров 617,8 151 180 286,8 единой системы конструкторской, для встроенных применений; технологической и универсальных микропроцессоров производственной документации, для серверов и рабочих изготовление опытных образцов станций; цифровых процессоров изделий и организация обработки сигналов; серийного производства сверхбольших интегральных схем, программируемых логических интегральных схем; сверхбольших интегральных схем быстродействующей динамической и статической памяти; микроконтроллеров со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью; схем интерфейса дискретного ввода/вывода; схем аналогового интерфейса; цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 8-12 бит; схем приемопередатчиков шинных интерфейсов; изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения; встроенных интегральных источников питания 49. Разработка базовых серийных 1801,6 - - - 799,8 1001,8 разработка комплектов технологий изделий ------ ----- ------ документации в стандартах микроэлектроники: 1200,9 533,1 667,8 единой системы конструкторской, цифроаналоговых и технологической и аналого-цифровых производственной документации, преобразователей на частотах изготовление опытных образцов выше 100 МГц с разрядностью изделий и организация более 14-16 бит 802.11, серийного производства 802.16, WiMAX и т. д.; микроэлектронных сенсоров различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур и биосенсоров; сенсоров на основе магнитоэлектрических и пьезоматериалов; встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц, 10-12 ГГц; систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов методом беспроводной сборки с применением технологии матричных жестких выводов 50. Разработка технологии и 513,4 51 252,4 210 - - разработка комплектов освоение производства изделий ----- -- ----- --- документации в стандартах
микроэлектроники с 342,3 34 168,3 140 единой системы конструкторской, технологическим уровнем технологической и ввод в 0,13 мкм эксплуатацию производственной линии 51. Разработка базовой технологии 894,8 - - - 146,3 748,5 разработка комплектов формирования многослойной ----- ----- ----- документации в стандартах разводки (7-8 уровней) 596,2 97,3 498,9 единой системы конструкторской, сверхбольших интегральных схем технологической и на основе Al и Cu производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 52. Разработка технологии и 494,2 - - 211,1 166,4 116,7 разработка комплектов организация производства ----- ----- ----- ----- документации в стандартах многокристальных 294,2 105,6 110,9 77,7 единой системы конструкторской, микроэлектронных модулей для технологической и мобильных применений с производственной документации, использованием полимерных и ввод в эксплуатацию металлополимерных микроплат и производственной линии носителей 53. Разработка новых методов 258 85 68 105 - - разработка комплектов технологических испытаний --- -- -- --- документации в стандартах изделий микроэлектроники, 258 85 68 105 единой системы конструкторской, гарантирующих их технологической и повышенную надежность в производственной документации, процессе долговременной (более ввод в эксплуатацию 100 000 часов) эксплуатации, специализированных участков на основе использования типовых оценочных схем и тестовых кристаллов 54. Разработка современных методов 342 115 132 95 - - разработка комплектов анализа отказов изделий --- --- --- -- документации, включая микроэлектроники с применением 342 115 132 95 утвержденные отраслевые ультраразрешающих методов методики, ввод в эксплуатацию (ультразвуковая гигагерцовая модернизированных участков и микроскопия, сканирование лабораторий анализа отказов синхротронным излучением, атомная и туннельная силовая микроскопия, электронно - и ионно-лучевое зондирование и др.) Всего по направлению 4 5861,9 738 960 1184,4 1112,5 1867 ------ --- ----- ------ ------ ------ 3906,7 492 639,6 789,4 741,3 1244,4 Направление 5 "Электронные материалы и структуры" 55. Разработка технологии 132 54 51 27 - - внедрение новых производства новых --- -- -- -- диэлектрических материалов на диэлектрических материалов на 85 36 32 17 основе ромбоэдрической основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и модификации нитрида бора и подложек из подложек из поликристаллического алмаза с поликристаллического алмаза повышенной теплопроводностью и электропроводностью для создания нового поколения высокоэффективных и надежных сверхвысокочастотных приборов 56. Разработка технологии 131 - - - 77 54 создание технологии производства --- -- -- производства гетероэпитаксиальных структур 87 51 36 гетероэпитаксиальных структур и структур гетеробиполярных и структур гетеробиполярных транзисторов на основе транзисторов на основе нитридных соединений А В для нитридных соединений А В для 3 5 3 5 мощных полупроводниковых обеспечения разработок и приборов и изготовления сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем монолитных интегральных схем и мощных транзисторов 57. Разработка базовой технологии 129 52 50 27 - - создание базовой технологии производства метаморфных --- -- -- -- производства гетероструктур и структур на основе GaAs и 84 34 32 18 псевдоморфных структур на псевдоморфных структур на подложках InP для подложках InP для приборов перспективных сверхвысокочастотной полупроводниковых приборов и электроники диапазона сверхвысокочастотных 60-90 ГГц монолитных интегральных схем диапазона 60-90 ГГц 58. Разработка технологии 133 - - - 79 54 создание спинэлектронных производства спинэлектронных --- -- -- магнитных материалов и магнитных материалов, 88 52 36 микроволновых структур со радиопоглощающих и спиновым управлением для мелкодисперсных ферритовых создания перспективных материалов для микроволновых сверхвысокочастотных приборов сверхвысокочастотных приборов повышенного быстродействия и низкого энергопотребления 59. Разработка технологии 128 51 50 27 - - создание технологии массового производства высокочистых --- -- -- -- производства высокочистых химических материалов 85 36 31 18 химических материалов (аммиака, арсина, фосфина, (аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) в тетрахлорида кремния) для обеспечение производства выпуска полупроводниковых полупроводниковых подложек подложек нитрида галлия, нитрида галлия, арсенида арсенида галлия, фосфида галлия, фосфида индия, кремния индия, кремния и и гетероэпитаксиальных гетероэпитаксиальных структур структур на их основе на их основе 60. Разработка технологии 134 - - - 79 55 создание технологии производства --- -- -- производства поликристаллических алмазов и 88 52 36 поликристаллических алмазов и их пленок для теплопроводных его пленок для мощных конструкций мощных выходных сверхвысокочастотных приборов транзисторов и сверхвысокочастотных приборов 61. Исследование путей и 98 41 36 21 - - создание технологии разработка технологии -- -- --
-- изготов