Часть 21
ления новых изготовления новых 65 27 24 14 микроволокон на основе микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- металлодиэлектрических микро- и наноструктур для новых и наноструктур, а также классов микроструктурных полупроводниковых нитей с приборов, магниторезисторов, наноразмерами при вытяжке осцилляторов, устройств стеклянного капилляра, оптоэлектроники заполненного жидкой фазой полупроводника 62. Разработка технологии 106 - - 25 44 37 создание базовой пленочной выращивания слоев --- -- -- -- технологии пьезокерамических пьезокерамики на кремниевых 69 17 28 24 элементов, совместимой с подложках для формирования комплементарной металло- комплексированных устройств оксидной полупроводниковой микросистемной техники технологией для разработки нового класса активных пьезокерамических устройств, интегрированных с микросистемами 63. Разработка методологии и 98 41 36 21 - - создание технологии травления базовых технологий создания -- -- -- -- и изготовления кремниевых многослойных кремниевых 64 26 24 14 трехмерных базовых элементов структур с использованием микроэлектромеханических "жертвенных" и "стопорных" систем с использованием диффузионных и диэлектрических "жертвенных" и "стопорных" слоев для производства силовых слоев для серийного приборов и элементов производства элементов микроэлектромеханических систем микроэлектромеханических систем кремниевых структур с использованием силикатных стекол, моно-, поликристаллического и пористого кремния и диоксида кремния 64. Разработка базовых технологий 105 - - - 61 44 создание технологии получения получения алмазных --- -- -- алмазных полупроводниковых полупроводниковых наноструктур 70 41 29 наноструктур и наноразмерных и наноразмерных органических органических покрытий, покрытий с широким диапазоном алмазных полупроводящих пленок функциональных свойств для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения 65. Исследование и разработка 191 50 57 84 - - создание технологии технологии роста --- -- -- -- изготовления гетероструктур и эпитаксиальных слоев карбида 128 35 38 55 эпитаксиальных структур на кремния, структур на основе основе нитридов для создания нитридов, а также формирования радиационно стойких изолирующих и коммутирующих сверхвысокочастотных и силовых слоев в приборах экстремальной приборов нового поколения электроники 66. Разработка технологии 227 67 52 108 - - создание технологии производства радиационно --- -- -- --- производства структур "кремний стойких сверхбольших 130 40 35 55 на сапфире" диаметром до 150 мм интегральных схем на с толщиной приборного слоя ультратонких до 0,1 мкм и топологическими гетероэпитаксиальных нормами до 0,18 мкм для структурах кремния на производства электронной сапфировой подложке для компонентной базы специального производства электронной и двойного назначения компонентной базы специального и двойного применения 67. Разработка технологии 191 45 54 92 - - создание технологии производства высокоомного --- -- -- -- производства радиационно радиационно облученного 126 30 36 60 облученного кремния и пластин кремния, слитков и пластин кремния до 150 мм для выпуска кремния диаметром до 150 мм мощных транзисторов и для производства силовых сильноточных тиристоров нового полупроводниковых приборов поколения 68. Разработка технологии 114 22 36 56 - - разработка и промышленное производства кремниевых --- -- -- -- освоение получения подложек и структур для 83 20 24 39 высококачественных подложек и силовых полупроводниковых структур для использования в приборов с глубокими производстве силовых высоколегированными слоями полупроводниковых приборов, с р- и n-типов проводимости и глубокими высоколегированными скрытыми слоями носителей с слоями и скрытыми слоями повышенной рекомбинацией носителей с повышенной рекомбинацией 69. Разработка технологии 326 110 72 144 - - создание технологии производства электронного --- --- -- --- производства пластин кремния кремния, кремниевых пластин 233 71 48 114 диаметром до 200 мм и диаметром до 200 мм и эпитаксиальных структур уровня кремниевых эпитаксиальных 0,25 - 0,18 мкм структур уровня технологии 0,25 - 0,18 мкм 70. Разработка методологии, 232 - - - 109 123 разработка технологии конструктивно-технических --- --- --- корпусирования интегральных решений и перспективной 161 78 83 схем и полупроводниковых базовой технологии приборов на основе корпусирования интегральных использования многослойных схем и полупроводниковых кремниевых структур со приборов на основе сквозными токопроводящими использования многослойных каналами, обеспечивающей кремниевых структур со сокращение состава сборочных сквозными токопроводящими операций и формирование каналами трехмерных структур 71. Разработка технологии 220 - - - 85 135 создание базовой технологии производства гетероструктур --- -- --- производства гетероструктур SiGe биполярной 143 53 90 SiGe для выпуска комплементарной металл-окисел
быстродействующих сверхбольших полупроводниковой технологии интегральных схем с для разработки приборов с топологическими нормами топологическими нормами 0,25 - 0,18 мкм 0,25 - 0,18 мкм 72. Разработка технологии 78 32 28 18 - - создание технологии выращивания и обработки, в том -- -- -- -- выращивания и обработки числе плазмохимической, новых 55 21 22 12 пьезоэлектрических материалов пьезоэлектрических материалов акустоэлектроники и для акустоэлектроники и акустооптики для обеспечения акустооптики производства широкой номенклатуры акустоэлектронных устройств нового поколения 73. Разработка технологий 87 - - - 32 55 создание технологии массового производства -- -- -- производства исходных соединений А В и тройных 58 22 36 материалов и структур для 3 5 перспективных приборов структур для: лазерной и оптоэлектронной производства сверхмощных техники, в том числе: лазерных диодов; производства сверхмощных высокоэффективных светодиодов лазерных диодов; белого, зеленого, синего и высокоэффективных светодиодов ультрафиолетового диапазонов; белого, зеленого, синего и фотоприемников среднего ультрафиолетового диапазонов; инфракрасного диапазона фотоприемников среднего инфракрасного диапазона 74. Исследование и разработка 80 32 30 18 - - создание технологии технологии получения -- -- -- -- производства принципиально гетероструктур с вертикальными 55 22 22 11 новых материалов оптическими резонаторами на полупроводниковой электроники основе квантовых ям и на основе сложных композиций квантовых точек для для перспективных приборов производства вертикально лазерной и оптоэлектронной излучающих лазеров для техники устройств передачи информации и матриц для оптоэлектронных переключателей нового поколения 75. Разработка технологии 86 - - - 32 54 создание технологии производства современных -- -- -- производства компонентов для компонентов для 57 22 35 специализированных специализированных электронно-лучевых; фотоэлектронных приборов, в электроннооптических и том числе: отклоняющих систем; катодов и газопоглотителей; стеклооболочек и деталей из электронно-оптических и электровакуумного стекла отклоняющих систем; различных марок стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок 76. Разработка технологии 80 33 30 17 - - создание технологии производства особо тонких -- -- -- -- производства особо тонких гетерированных нанопримесями 54 22 20 12 гетерированных нанопримесями полупроводниковых структур для полупроводниковых структур для высокоэффективных фотокатодов, изготовления высокоэффективных электронно-оптических фотокатодов электронно- преобразователей и оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей, фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного приемников инфракрасного диапазона, солнечных элементов диапазона, солнечных элементов и др., фотоэлектронных и других приложений приборов с высокими значениями коэффициента полезного действия 77. Разработка базовой технологии 85 - - - 32 53 создание технологии производства монокристаллов -- -- -- монокристаллов AlN для AlN для изготовления 58 22 36 изготовления изолирующих и изолирующих и проводящих проводящих подложек для подложек для гетероструктур создания полупроводниковых высокотемпературных и мощных сверхвысокочастотных приборов нового поколения 78. Разработка базовой технологии 80 33 30 17 - - создание базовой технологии производства -- -- -- -- вакуумно-плотной спецстойкой наноструктурированных оксидов 54 22 20 12 керамики из нанокристаллических металлов (корунда и т. п.) порошков и нитридов металлов для производства для промышленного освоения вакуумно-плотной спецстойких приборов нового нанокерамики, в том числе с поколения, в том числе заданными оптическими микрочипов, свойствами сверхвысокочастотных аттенюаторов, RLC-матриц, а также особо прочной электронной компонентной базы оптоэлектроники и фотоники 79. Разработка базовой технологии 86 - - - 33 53 создание технологии производства полимерных и -- -- -- производства полимерных и гибридных органо- 58 21 37 композиционных материалов с неорганических использованием поверхностной и наноструктурированных защитных объемной модификации полимеров материалов для электронных наноструктурированными компонентов нового поколения наполнителями для создания прецизионных и изделий с высокой сверхвысокочастотных механической, термической и резисторов, терминаторов, радиационной стойкостью при аттенюаторов и резисторно- работе в условиях длительной индукционно-емкостных матриц, эксплуатации и воздействии стойких к воздействию комплекса специальных комплекса внешних и внешних факторов специальных факторов Всего по направлению 5 3357 663 612 702 663 717 ---- --- --- --- --- --- 2238 442 408 468 442 478 Направление 6 "Группы пассивной электронной компонентной базы" 80. Разработка технологии выпуска 57 24 18 15 - - разработка расширенного ряда прецизионных -- -- -- -- резонаторов с повышенной температуростабильных 38 16 12 10 кратковременной и высокочастотных до 1,5 - 2 ГГц долговременной стабильностью
резонаторов на поверхностно для создания контрольной и акустических волнах до 1,5 ГГц связной аппаратуры двойного с полосой до 70 процентов и назначения длительностью сжатого сигнала до 2-5 нс 81. Разработка в лицензируемых и 120 - - 21 48 51 создание технологии и нелицензируемых международных --- -- -- -- конструкции акустоэлектронных частотных диапазонах 860 МГц и 80 14 32 34 пассивных и активных меток- 2,45 ГТц ряда радиочастотных транспондеров для применения в пассивных и активных логистических приложениях на акустоэлектронных меток- транспорте, в торговле и транспондеров, в том числе промышленности работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом 82. Разработка базовой конструкции 56 24 17 15 - - создание технологии и промышленной технологии -- -- -- -- проектирования и базовых производства пьезокерамических 37 16 11 10 конструкций пьезоэлектрических фильтров в корпусах для фильтров в малогабаритных поверхностного монтажа корпусах для поверхностного монтажа при изготовлении связной аппаратуры массового применения 83. Разработка технологии 125 86 39 - - - создание базовой технологии проектирования, базовой --- -- -- акустоэлектронных приборов для технологии производства и 83 57 26 перспективных систем связи, конструирования измерительной и навигационной акустоэлектронных устройств аппаратуры нового поколения - нового поколения и фильтров подвижных, спутниковых, промежуточной частоты с тропосферных и радиорелейных высокими характеристиками для линий связи, цифрового современных систем связи, интерактивного телевидения, включая высокоизбирательные радиоизмерительной аппаратуры, высокочастотные устройства радиолокационных станций, частотной селекции на спутниковых навигационных поверхностных и систем приповерхностных волнах и волнах Гуляева-Блюштейна с предельно низким уровнем вносимого затухания для частотного диапазона до 5 ГГц 84. Разработка технологии 96 - - 33 63 - создание технологии проектирования и базовой -- -- -- производства технологии производства 64 22 42 высокоинтегрированной функциональных законченных электронной компонентной базы устройств стабилизации, типа "система в корпусе" для селекции частоты и обработки вновь разрабатываемых и сигналов типа "система в модернизируемых сложных корпусе" радиоэлектронных систем и комплексов 85. Разработка базовой конструкции 69 - - - 48 21 создание базовой технологии и технологии изготовления -- -- -- (2010 г.) и базовой высокочастотных резонаторов и 46 32 14 конструкции микроминиатюрных фильтров на объемных высокодобротных фильтров для акустических волнах для малогабаритной и носимой телекоммуникационных и аппаратуры навигации и связи навигационных систем 86. Разработка технологии и 80 50 30 - - - создание нового поколения базовой конструкции -- -- -- оптоэлектронных приборов для фоточувствительных приборов с 53 33 20 обеспечения задач матричными приемниками предотвращения аварий и высокого разрешения для контроля видимого и ближнего инфракрасного диапазона для аппаратуры контроля изображений 87. Разработка базовой технологии 50 13 16 21 - - создание базовой технологии унифицированных электронно- -- -- -- -- нового поколения приборов оптических преобразователей, 33 9 10 14 контроля тепловых полей для микроканальных пластин, задач теплоэнергетики, пироэлектрических матриц и медицины, поисковой и камер на их основе с контрольной аппаратуры на чувствительностью до 0,1 К и транспорте, продуктопроводах и широкого инфракрасного в охранных системах диапазона 88. Разработка базовой технологии 129 45 45 39 - - создание базовой технологии создания интегрированных -- -- -- -- (2008 г.) и конструкции новых гибридных фотоэлектронных 85 30 30 25 типов приборов, сочетающих высокочувствительных и фотоэлектронные и высокоразрешающих приборов и твердотельные технологии, с усилителей для задач целью получения экстремально космического мониторинга и достижимых характеристик для специальных систем наблюдения, задач контроля и наблюдения в научной и метрологической системах двойного назначения аппаратуры 89. Разработка базовых технологий 159 63 45 51 - - создание базовой технологии мощных полупроводниковых --- -- -- -- (2008 г.) и конструкций лазерных диодов (непрерывного 106 42 30 34 принципиально новых мощных и импульсного излучения) диодных лазеров, специализированных лазерных предназначенных для широкого полупроводниковых диодов, применения в изделиях двойного фотодиодов и лазерных назначения, медицины, волоконно-оптических модулей полиграфического оборудования для создания аппаратуры и и системах открытой оптической систем нового поколения связи 90. Разработка и освоение базовых 98 - - 15 60 23 разработка базового комплекта технологий для лазерных -- -- -- -- основных оптоэлектронных навигационных приборов, 65 10 40 15 компонентов для лазерных включая интегральный гироскопов широкого применения оптический модуль лазерного (2010 г.), гироскопа на базе сверх- создание комплекса технологий малогабаритных
кольцевых обработ